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2SK4150TZ-E产品参数
型号:2SK4150TZ-E
Brand Name:Renesas
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-92(1)
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3
制造商包装代码:PRSS0003DA-A3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.4 A
最大漏极电流 (ID):0.4 A
最大漏源导通电阻:5.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.75 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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