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30Q6P45产品参数
型号:30Q6P45
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSFM-T5
针数:5
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.85
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T5
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:330 A
元件数量:6
相数:3
端子数量:5
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:100 µA
反向测试电压:1200 V
子类别:Other Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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