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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 37LV65-I/P
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    37LV65-I/P相关文章

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37LV65-I/P产品参数
型号:37LV65-I/P
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
其他特性:DATA RETENTION >200 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):2.5 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:10.033 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:OTP ROM
功能数量:1
端子数量:8
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:2KX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.064 mm
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.6 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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