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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 东莞市品安电子有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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3DD13003L3D产品参数
型号:3DD13003L3D
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.25 W
最大功率耗散 (Abs):1.25 W
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHz
VCEsat-Max:0.8 V
Base Number Matches:1
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