3LN01S-TL-E产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 150mA（Ta） 150mW（Ta） SMCP

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：150mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 欧姆 @ 80mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.58nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SMCP

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：3LN01S-TL-E-ND 3LN01S-TL-EOSTR