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3LP01S-TL-E产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMCP

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.43nC @ 10V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7.5pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SMCP

封装/外壳:SC-75,SOT-416

标准包装:3,000

其它名称:3LP01S-TL-E-ND 3LP01S-TL-EOSTR

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