3LP01SSTL应用文章市场行情现货热卖使用介绍供应商报价-中国IC网-芯三七

3LP01SSTL相关产品

3LP01STLE 3LP02 3LP02-TB-E 3LP02C 3LP02C-TB3LP02C-TB / XB3LP02C-TB-E 3LP02C-TL-E 3LP02M3LP02M / XD3LP02M /XD3LP02M-T1-E 3LP02M-TL3LP02M-TL XD3LP02M-TL / XD3LP02M-TL SOT323-XD3LP02M-TL-E 3LP03M-TL-E 3LP03S-TL-E 3LP03SS-TL-E 3LP04CH 3LP04CH-TL-E 3LP04MH 3LPO1C-TB 3Ls 3LS1 3LSD25 3LSOT23 3LT 3LV2DMLT 3LZ 3LZOA(---)3M3M 1120 0.5SQ-2503M 1120 0.75SQ-2503M 1120 1 X 2-1003M 1120 1 X 3-1003M 1120 1 X 4-1003M 1120 1.5SQ-1003M 1120 1/2 X 2-1003M 1120 1/2 X 3-1003M 1120 1/2 X 4-1003M 1120 1SQ-2503M 1120 2SQ-1003M 1120 3/4 X 2-1003M 1120 3/4 X 3-1003M 1120 3/4 X 4-1003M 1120 CIRCLE-0.5-2503M 1120 CIRCLE-0.75-2503M 1120 CIRCLE-1-2503M 1120 CIRCLE-1.5-1003M 1120 CIRCLE-2-1003M 1125 0.5SQ-2503M 1125 0.75SQ-2503M 1125 1 X 2-1003M 1125 1 X 3-1003M 1125 1 X 4-1003M 1125 1.5SQ-1003M 1125 1/2 X 2-1003M 1125 1/2 X 3-1003M 1125 1/2 X 4-1003M 1125 1SQ-2503M 1125 2SQ-1003M 1125 3/4 X 2-1003M 1125 3/4 X 3-1003M 1125 3/4 X 4-1003M 1125 CIRCLE-0.5-2503M 1125 CIRCLE-0.75-2503M 1125 CIRCLE-1-2503M 1125 CIRCLE-1.5-1003M 1125 CIRCLE-2-1003M 1170 0.5SQ-2503M 1170 0.75SQ-2503M 1170 1 X 2-1003M 1170 1 X 3-1003M 1170 1 X 4-1003M 1170 1.5SQ-1003M 1170 1/2 X 2-1003M 1170 1/2 X 3-1003M 1170 1/2 X 4-1003M 1170 1SQ-2503M 1170 2 X 18YD3M 1170 2SQ-1003M 1170 3/4 X 2-1003M 1170 3/4 X 3-1003M 1170 3/4 X 4-1003M 1170 CIRCLE-0.5-2503M 1170 CIRCLE-0.75-2503M 1170 CIRCLE-1-2503M 1170 CIRCLE-1.5-1003M 1170 CIRCLE-2-1003M 1181 0.125 X 18YD3M 1181 0.5SQ-2503M 1181 0.75SQ-2503M 1181 1 X 2-1003M 1181 1 X 3-100

配单直通车

深圳市中利达电子科技有限公司服务专线: 0755-83200645/13686833545 在线联系:

北京元坤伟业科技有限公司服务专线: 010-62104931621064316210489162104791 在线联系:

首天国际（深圳）科技有限公司服务专线: 0755-82807802/82807803 在线联系:

3LP02C产品参数

型号:	3LP02C
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	SANYO ELECTRIC CO LTD
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	3.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1