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    • 3N191图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 3N191
    • 数量98500 
    • 厂家MOT 
    • 封装CAN8 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 3N191图

    • 深圳市欧立现代科技有限公司

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    • 3N191
    • 数量386 
    • 厂家MOT 
    • 封装CAN8 
    • 批号24+ 
    • ★全新现货，诚信经营，低价出售，欢迎询购★
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    • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:2216987084
    • 3N191图

    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 3N191
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    • 厂家INTERSIL 
    • 封装N/A 
    • 批号2024 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
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    • 3N191图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 3N191
    • 数量5932 
    • 厂家NSC 
    • 封装CAN 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 3N191A图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 3N191A
    • 数量16000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号3N191的Datasheet PDF文件预览

    Dual P-Channel  
    Enhancement Mode MOSFET  
    General Purpose Amplifier  
    CORPORATION  
    3N190 / 3N191  
    FEATURES  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    (TA = 25oC unless otherwise specified)  
    Very High Input Impedance  
    High Gate Breakdown 3N190-3N191  
    Low Capacitance  
    •
    •
    Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1)  
    •
    3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
    Transient Gate-Source Voltage (Note 1 and 2). . . . . . . ±125V  
    Gate-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±80V  
    Drain Current (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
    Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
    Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
    Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
    Power Dissipation  
    PIN CONFIGURATION  
    One Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
    Both Sides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525mW  
    Total Derating above 25oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mW/oC  
    TO-99  
    NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
    Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
    stress ratings only and functional operation of the device at these or  
    any other conditions above those indicated in the operational sections  
    of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
    rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
    D2  
    S2  
    G2  
    G1  
    ORDERING INFORMATION  
    C
    D1  
    S1  
    2506  
    Part  
    Package  
    Temperature Range  
    3N190-91 Hermetic TO-99  
    X3N190-91 Sorted Chips in Carriers  
    -55oC to +150oC  
    -55oC to +150oC  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified)  
    3N190/91  
    SYMBOL  
    IGSSR  
    PARAMETER  
    Gate Reverse Current  
    UNITS  
    TEST CONDITIONS  
    MIN  
    MAX  
    10  
    VGS = 40V  
    GS = -40V  
    pA  
    V
    -10  
    -25  
    IGSSF  
    Gate Forward Current  
    TA = +125oC  
    BVDSS  
    BVSDS  
    Drain-Source Breakdown Voltage  
    Source-Drain Breakdown Voltage  
    ID = -10µA  
    -40  
    -40  
    IS = -10µA, VBD = 0  
    V
    DS = -15V, ID = -10µA  
    -2.0  
    -2.0  
    -3.0  
    -5.0  
    -5.0  
    VGS(th)  
    Threshold Voltage  
    V
    VDS = VGS, ID = -10µA  
    VDS = -15V, ID = -500µA  
    VDS = -15V  
    VGS  
    Gate Source Voltage  
    -6.5  
    IDSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Source Drain Current  
    -200  
    -400  
    300  
    ISDS  
    VSD = -15V, VDB = 0  
    VDS = -20V, ID = -100µA  
    VDS = -15V, VGS = -10V  
    rDS(on)  
    ID(on)  
    Drain-Source on Resistance  
    On Drain Current  
    ohms  
    mA  
    -5.0  
    -30.0  
    3N190 / 3N191  
    CORPORATION  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified)  
    3N190/91  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    UNITS  
    TEST CONDITIONS  
    MIN MAX  
    1500 4000  
    300  
    gfs  
    Forward Transconductance (Note 3)  
    Output Admittance  
    µS  
    f = 1kHz  
    f = 1MHz  
    Yos  
    Ciss  
    Crss  
    Coss  
    V
    DS = -15V, ID = -10mA  
    Input Capacitance Output Shorted (Note 5)  
    Reverse Transfer Capacitance (Note 5)  
    Output Capacitance Input Shorted (Note 5)  
    4.5  
    pF  
    1.0  
    3.0  
    SWITCHING CHARACTERISTICS (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified)  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    Turn On Delay Time  
    MIN  
    MAX  
    UNITS  
    TEST CONDITIONS  
    td(on)  
    tr  
    15  
    30  
    50  
    ns  
    VDD = -15V, ID = -10mA, RG = RL = 1.4kΩ (Note 5)  
    Rise Time  
    toff  
    Turn Off Time  
    MATCHING CHARACTERISTICS (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified) 3N188 and 3N190  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    MIN  
    MAX  
    1.0  
    UNITS  
    TEST CONDITIONS  
    Yfs1 / Yfs2  
    Forward Transconductance Ratio  
    VDS = -15V, ID = -500µA, f = 1kHz  
    0.85  
    VGS1-2  
    Gate Source Threshold Voltage Differential  
    VDS = -15V, ID = -500µA  
    100  
    mV  
    ∆VGS1−2  
    ∆T  
    Gate Source Threshold Voltage Differential  
    Change with Temperature (Note 4)  
    V
    DS = -15V, ID = -500µA,  
    100  
    100  
    µV/oC  
    T = -55oC to +25oC  
    ∆VGS1−2  
    ∆T  
    Gate Source Threshold Voltage Differential  
    Change with Temperature (Note 4)  
    VDS = -15V, ID = -500µA  
    µV/oC  
    T = +25oC to +125oC  
    NOTES: 1. Per transistor.  
    2. Approximately doubles for every 10oC increase in TA.  
    3. Pulse test duration = 300µs; duty cycle ≤3%.  
    4. Measured at end points, TA and TB.  
    5. For design reference only, not 100% tested.  
    配单直通车
    3N2014产品参数
    型号:3N2014
    生命周期：Contact Manufacturer
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.11
    执行器角度：
    执行器长度：0.413 inch
    执行器行程：1.397 mm
    执行器类型：PUSHBUTTON
    其他特性：UL APPROVED
    主体宽度：12.8016 mm
    主体高度：19.2532 mm
    主体长度或直径：13.4874 mm
    套管直径：0.244 inch
    喷头长度：0.315 inch
    套管类型：UNTHREADED
    中心触点镀层：SILVER
    触点（交流）最大额定R负载：3A@250VAC
    最大触点电流（交流）：3 A
    最大触点电流（直流）：0.005 A
    触点（直流）最大额定R负载：0.005A@10VDC
    触点功能：ON-ON
    触点电阻：0.01 m Ω
    触点时间：BREAK-BEFORE-MAKE
    最大触点电压（交流）：250 V
    最大触点电压（直流）：10 V
    介质耐电压：1500VAC V
    电气寿命：30000 Cycle(s)
    末端触点镀层：SILVER
    绝缘电阻：1000000000 Ω
    绝缘体材料：DIALLYL PHTHALATE
    制造商序列号：3N
    安装特点：THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE
    最高工作温度：85 °C
    最低工作温度：-20 °C
    PCB 孔数：8
    可焊性：HAND
    表面贴装：NO
    开关动作：VERTICAL
    开关功能：DPDT
    端子长度：0.106 inch
    端接类型：SOLDER
    可洗性：SOLVENT
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
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