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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号3N212的概述

芯片3N212的概述 3N212是一款广泛应用于模拟电路和数字电路中的集成电路,其主要特点在于其灵活性和高效能。这款芯片常常被用于放大器、振荡器以及比较器等多种电路中,得到了诸多工程师和技术人员的青睐。 该芯片的设计基于先进的半导体技术,使其在电源管理、信号处理等应用中显示出优越的性能。3N212采用的是双极性晶体管结构,能够在较低的功耗下工作,且具有良好的线性度和频响特性。 除了其电学特性外,3N212还具备较高的耐久性和稳定性。在不少工业和消费电子产品中,3N212由于其具备的高温抗性和长期稳定性而成为理想的选择。 芯片3N212的详细参数 3N212芯片的电气特性和参数包含但不限于下列内容: - 电源电压范围:3V 至 15V - 最大输出电流:100mA - 工作温度范围:-40°C 至 85°C - 频率响应:可达几百MHz - 增益带宽积:约为1MHz - 输入阻抗:约为1...

产品型号3N212的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
3N212产品参数
型号:3N212
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MOTOROLA INC
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE AND SUBSTRATE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:27 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
最大漏极电流 (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.05 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-206AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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