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  • 深圳市港禾科技有限公司

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  • 厂家UTC/友顺 
  • 封装TO-252 
  • 批号22+ 
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    3N40L-TN3-R相关文章

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3N40L-TN3-R产品参数
型号:3N40L-TN3-R
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):290 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:1.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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