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| 型号: | 3SK126 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | TOSHIBA CORP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.05 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 20 dB |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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