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  • 3SK225/UIG图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 3SK225/UIG
  • 数量98500 
  • 厂家NEC 
  • 封装SOT-343 / SOT-323-4 
  • 批号22+ 
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3SK225产品参数
型号:3SK225
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.28
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:13.5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.05 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):19 dB
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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