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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 封装TO-78-6 金属罐 
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396
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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 厂家 
  • 封装CAN-6 
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  • ★原装现货,微波军工停产芯片优势,可出售样品研发选型BOM配单服务
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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 封装 
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  • 不是原装不要钱,可含税
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  • 深圳市力拓辉电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 4N49图
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  • 4N49图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 171-4729-9698(微信同号) QQ:97671959

产品型号4N49的概述

芯片4N49的概述 4N49是一种广泛应用于光电耦合器的集成电路元件。该器件利用光电耦合的原理,将输入信号与输出信号隔离开,使其在高压电路与低压电路之间实现安全有效的信号传输。4N49尤为常用于需要电气隔离的场合,如开关电源、控制电路及传感器接口等。其内置的发光二极管与光敏三极管通过光子相互作用实现信号传递,有效地防止了电流通过和电压干扰。 4N49通常为四引脚封装,具有良好的耐用性和稳定性。它的设计不仅提高了信号的可靠性,还扩展了应用范围,适用于不同的工作环境。由于其相对简单的电路结构和出色的隔离性能,4N49在工程师和电子爱好者中积累了相当的普及度。 芯片4N49的详细参数 4N49的主要技术参数包括: - 工作电压(V_CE): 最高耐压为 50V。 - 输入电流(I_F): 通常要求输入电流范围在 10mA 到 20mA 之间,具体取决于所需的输出电流。 - 输出电流(I_C)...

产品型号4N49的Datasheet PDF文件预览

4N47  
4N48  
4N49  
Mii  
JAN, JANTX, JANTXV, SINGLE CHANNEL OPTOCOUPLERS  
OPTOELECTRONIC  
PRODUCTS{PRIVATE }  
DIVISION  
Features:  
Applications:  
High Reliability  
Eliminate ground loops  
Base lead provided for conventional transistor  
biasing  
Level shifting  
Line receiver  
Rugged package  
Switching power supplies  
Motor control  
High gain, high voltage transistor  
+1kV electrical isolation  
DESCRIPTION  
Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) infrared LED and a high gain N-P-N silicon phototransistor packaged in a hermetically  
sealed TO-5 metal can. The 4N47, 4N48 and 4N49’s can be tested to customer specifications, as well as to MIL-PRF-19500  
JAN, JANTX, JANTXV and JANS quality levels.  
*ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Input to Output Voltage.............................................................................................................................................................1kV  
Emitter-Collector Voltage............................................................................................................................................................7V  
Collector-Emitter Voltage (Value applies to emitter-base open-circuited & the input-diode equal to zero) ............................40V  
Collector-Base Voltage.............................................................................................................................................................45V  
Reverse Input Voltage ...............................................................................................................................................................2V  
Input Diode Continuous Forward Current at (or below) 65°C Free-Air Temperature (see note 1)......................................40mA  
Peak Forward Input Current (Value applies for tw < 1µs, PRR < 300 pps) ...............................................................................1A  
Continuous Collector Current ................................................................................................................................................50mA  
Continuous Transistor Power Dissipation at (or below) 25°C Free-Air Temperature (see Note 2) ..................................300mW  
Storage Temperature........................................................................................................................................... -65°C to +125°C  
Operating Free-Air Temperature Range ............................................................................................................. -55°C to +125°C  
Lead Solder Temperature (1/16” (1.6mm) from case for 10 seconds)................................................................................240°C  
Notes:  
1. Derate linearly to 125°C free-air temperature at the rate of 0.67 mA/°C above 65°C.  
2. Derate linearly to 125°C free-air temperature at the rate of 3 mW/°C.  
*JEDEC registered data  
Package Dimensions  
Schematic Diagram  
6 LEADS  
0.016Ø [0.41]  
0.019Ø[0.48]  
0.040 [1.02]  
MAX.  
A
K
C
5
3
5
6
0.305 [7.75]  
0.335 [8.51]  
0.045 [1.14]  
0.029 [0.73]  
3
7
0.022Ø [5.08]  
2
1
E
B
1
2
0.500 [12.70]  
MIN.  
45°  
0.155 [3.94]  
0.185 [4.70]  
7
0.034 [0.864]  
0.028 [0.711]  
NOTE: ALL LINEAR DIMENSIONS ARE IN INCHES (MILLIMETERS)  
MICROPAC INDUSTRIES, INC. OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION 725 E.Walnut St., Garland, TX 75040 (972) 272-3571 Fax (972) 487-6918  
www.micropac.com  
E-MAIL: optosales@micropac.com  
3 - 14  
4N47, 4N48, and 4N49  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, SINGLE CHANNEL OPTOCOUPLERS  
°
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = 25 C Unless otherwise specified  
PARAMETER  
Input Diode Static Reverse Current  
Input Diode Static Forward Voltage  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
TEST CONDITIONS  
NOTE  
NOTE  
I
100  
1.7  
1.5  
1.3  
µA  
V = 2V  
R
R
°
-55 C  
1.0  
0.8  
0.7  
°
+25 C  
V
1.4  
V
I
E
= 10mA  
F
°
+100 C  
°
*OUTPUT TRANSISTOR  
PARAMETER  
TA = 25 C Unless otherwise specified  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
(BR)CBO  
TEST CONDITIONS  
I = 100µA, I = 0, I = 0  
C B F  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V
45  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Collector Breakdown Voltage  
V
40  
V
I
= 1mA, I = 0, I = 0  
C B F  
(BR)CEO  
V
7
V
I
= 0, I = 100µA, I = 0  
(BR)EBO  
C
E
F
°
*COUPLED CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TA = 25 C Unless otherwise specified  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
TEST CONDITIONS  
NOTE  
On State Collector Current  
4N47  
4N48  
4N49  
4N47  
4N48  
4N49  
4N47  
4N48  
4N49  
0.5  
1.0  
2.0  
0.7  
1.4  
2.8  
0.5  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
mA  
I
I
I
5
10  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 5V, I = 0, I = 1mA  
B F  
C(ON)  
C(ON)  
C(ON)  
On State Collector Current  
°
-55 C  
= 5V, I = 0, I = 2mA  
B F  
On State Collector Current  
°
+100 C  
= 5V, I = 0, I = 2mA  
2
B
F
°
Off State Collector Current  
+25 C  
I
100  
100  
nA  
V
V
= 20V, I = 0, I = 0mA  
B F  
C(OFF)  
C(OFF)  
CE  
Off State Collector Current +100°C  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
µA  
= 20V, I = 0, I = 0mA  
B F  
CE  
4N47  
4N48  
4N49  
V
V
V
0.3  
0.3  
0.3  
V
V
V
I
= 0.5mA, I = 0, I = 2mA  
C B F  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
I
I
= 1mA, I = 0, I = 2mA  
B F  
C
C
= 2mA, I = 0, I = 2mA  
B
F
11  
Input to Output Resistance  
R
C
10  
V
= 1kV  
1
1
I-O  
I-O  
IN-OUT  
Input to Output Capacitance  
Rise Time/ Fall Time  
Phototransistor Operation  
5
pF  
µs  
µs  
µs  
f = 1MHz, V  
= 1kV  
IN-OUT  
4N47  
4N48  
4N49  
t / t  
20  
25  
25  
r
f
f
f
t / t  
V
CC  
= 10V, I = 10mA, R = 100Ω  
r
F
L
t / t  
r
Rise Time/ Fall Time  
Photodiode Operation  
4N47  
4N48  
4N49  
t / t  
0.85  
0.85  
0.85  
µs  
µs  
µs  
r
f
f
f
t / t  
V
CC  
= 10V, I = 10mA, R = 100Ω  
F L  
r
t / t  
r
NOTES:  
1.  
2.  
These parameters are measured between all phototransistor leads shorted together and with both input diode leads shorted together.  
This parameter measured using pulse techniques tw =100µs, duty cycle < 1%.  
MICROPAC INDUSTRIES, INC. OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION 725 E.Walnut St., Garland, TX 75040 (972) 272-3571 Fax (972) 487-6918  
www.micropac.com  
E-MAIL: optosales@micropac.com  
3 - 15  
4N47, 4N48, and 4N49  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, SINGLE CHANNEL OPTOCOUPLERS  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS:  
PARAMETER  
Input Current, Low Level  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
FL  
0
100  
µA  
Input Current, High Level  
Supply Voltage  
I
2
5
10  
10  
mA  
V
FH  
V
CE  
SELECTION GUIDE  
PART NUMBER  
PART DESCRIPTION  
4N47 Optocoupler, JAN Screening level  
4N48 Optocoupler, JAN Screening level  
JAN4N47  
JAN4N48  
JAN4N49  
4N49 Optocoupler, JAN Screening level  
4N47 Optocoupler, JANTX Screening level  
4N48 Optocoupler, JANTX Screening level  
4N49 Optocoupler, JANTX Screening level  
4N47 Optocoupler, JANTXV Screening level  
4N48 Optocoupler, JANTXV Screening level  
4N49 Optocoupler, JANTXV Screening level  
4N47 Optocoupler, JANS Screening level  
4N48 Optocoupler, JANS Screening level  
4N49 Optocoupler, JANS Screening level  
JANTX4N47  
JANTX4N48  
JANTX4N49  
JANTXV4N47  
JANTXV4N48  
JANTXV4N49  
JANS4N47  
JANS4N48  
JANS4N49  
*JEDEC registered data  
MICROPAC INDUSTRIES, INC. OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION 725 E.Walnut St., Garland, TX 75040 (972) 272-3571 Fax (972) 487-6918  
www.micropac.com  
E-MAIL: optosales@micropac.com  
3 - 16  
配单直通车
4N49产品参数
型号:4N49
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:OPTEK TECHNOLOGY INC
包装说明:HERMETIC SEALED, TO-78, 6 PIN
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8541.40.80.00
风险等级:5.12
Is Samacsys:N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:40 V
配置:SINGLE
当前传输比率-最小值:9%
标称电流传输比:200%
最大暗电源:100 nA
最大正向电流:0.04 A
最大正向电压:1.5 V
最大绝缘电压:1000 V
JESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
元件数量:1
最大通态电流:0.05 A
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散:0.3 W
最长响应时间:0.00002 s
子类别:Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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