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| 型号: | 5962-8766001PA |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N |
| 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | STANDARD |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | TOTEM-POLE |
| 输出极性： | INVERTED |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大压摆率： | 8 mA |
| 最大供电电压： | 15 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL |
| 断开时间： | 0.04 µs |
| 接通时间： | 0.06 µs |
| Base Number Matches： | 1 |
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