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6116L120TB产品参数
型号:6116L120TB
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
端子数量:24
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0003 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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