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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 上海乙幸科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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产品型号6MBI150VB-120-50的概述

芯片6MBI150VB-120-50的概述 6MBI150VB-120-50是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的IGBT模块,广泛应用于工业驱动、高电压电机控制、电源调节以及可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能逆变器。这款模块结合了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和快速恢复二极管的特点,使其在高效率、高功率的应用中表现突出。 在现代电力电子控制系统中,IGBT作为一种高效的开关装置,其优越的开关特性和耐高压能力,使得6MBI150VB-120-50成为众多系统的理想选择。利于其高电流承载能力与较高的开关频率,可以实现精确的电机控制与高效的能量转换。与此同时,其小型化设计也为设备集成和热管理提供了便利。 芯片6MBI150VB-120-50的详细参数 6MBI150VB-120-50模块的主要参数如下: 1. 额定电流: 150A 2. 额定电压: 1200V ...
配单直通车
6MBI150VB-120-50产品参数
型号:6MBI150VB-120-50
生命周期:Active
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数:35
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X21
元件数量:6
端子数量:21
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):530 ns
标称接通时间 (ton):390 ns
Base Number Matches:1
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