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  • 6MBI200FB-060图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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6MBI200FB-060产品参数
型号:6MBI200FB-060
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:600 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X11
元件数量:6
端子数量:11
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):500 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1500 ns
标称接通时间 (ton):1500 ns
VCEsat-Max:2.5 V
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