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  • 6MBI200XXA120-50图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市领航达电子有限公司

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配单直通车
6MBI20F-060产品参数
型号:6MBI20F-060
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数:15
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):1000 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X15
元件数量:6
端子数量:15
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:480 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1
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