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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号6MBI25S-120的产品参数和6MBI25S-120的使用说明

配单直通车
6MBI25S-120产品参数
型号:6MBI25S-120
生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数:17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):35 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):180 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):530 ns
标称接通时间 (ton):600 ns
VCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1
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