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型号: | 6MBI25S-120 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
针数: | 17 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 35 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X17 |
元件数量: | 6 |
端子数量: | 17 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 530 ns |
标称接通时间 (ton): | 600 ns |
VCEsat-Max: | 2.6 V |
Base Number Matches: | 1 |
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