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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 6MBI35S-120图

    • 上海硅威科技有限公司

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    • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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    • 江苏华美半导体有限公司

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    • 封装原厂直销 实力商家 专业销售全新原装正品 
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    • 0512-82613006 QQ:1989265666
    • 6MBI35S-120【特价现货】图

    • 深圳市赛尔通科技有限公司

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    • █★专营模块 特价全新原装现货
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    • 86-0755-83536093 QQ:1134344845QQ:847984313
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    • 北京创易科技有限公司

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    • 封装标准封装 
    • 批号17+ 
    • 真实现货库存!
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    • 010-51659567 QQ:156807666
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    • 深圳市浩兴林电子有限公司

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    • 专营模块，全新原装现货，价优，欢迎查询
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    • 0755-82532799 QQ:382716594QQ:351622092
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 批号23+ 
    • 全新原装现货，价格优势
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    • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 深圳市勤思达科技有限公司

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    • 原装现货，价格优惠
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 数量5000 
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    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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    • 厂家FUJI 
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    • 批号11+ 
    • 优势供应FUJI模块
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    • 0755-83254770 QQ:3003412773QQ:3003714016
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    • HECC GROUP CO.，LIMITED

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    • 厂家FUJI 
    • 封装*原装模块 
    • 批号24+ 
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    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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    • 厂家FUJI【专卖★价格最低】 
    • 封装模块 
    • 批号▊ NEW ▊ 
    • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
    • QQ:1551106297QQ：1551106297 复制
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    • 0755-23125986 QQ:1551106297QQ:3059638860
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    • 深圳市珩瑞科技有限公司

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    • 厂家FUJI 
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    • ■■■全新原装房间现货 可长期供货
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    • 上海乙幸科技有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家FUJI/富士 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 只做原装！仓库现货！假一赔十！
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    • 上海典宇电子科技有限公司

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    • 厂家富士FUJI 
    • 封装Tray 
    • 批号23+ 
    • 只做全新原装，原厂渠道现货
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    • 0512-55277978 QQ:291757417QQ:525189997
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    • 上海如美电子科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
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    • 厂家FUJI/富士电机 
    • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
    • 批号19+ 
    • 普通
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    • 021-51097965 QQ:823639999
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    • 上海硅威科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量8880 
    • 厂家FUJI 
    • 封装标准封装 
    • 批号22+ 
    • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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    • 400-1585-060 QQ:2885615943
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    • 江苏华美半导体有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量0 
    • 厂家21+ 
    • 封装5000 
    • 批号 
    • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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    • 0512-82613006 QQ:1989265666
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量1365 
    • 厂家FUJI 
    • 封装 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
    • QQ:1091796029QQ：1091796029 复制
      QQ:916896414QQ：916896414 复制
    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
    • 6MBI35S-120图

    • 深圳市雅维特电子有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量20000 
    • 厂家FUJI 
    • 封装深圳原装现货0755-83975781 
    • 批号模块 
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      QQ:541766577QQ：541766577 复制
    • 0755-83975781 QQ:767621813QQ:541766577
    • 6MBI35S-120图

    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量8500 
    • 厂家FUJI/富士电机 
    • 封装MODULE 
    • 批号20+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 6MBI35S-120L
    • 数量16000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • 6MBI35S-120图

    • 上海紫卓电子科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量666 
    • 厂家FUJI?/富士 
    • 封装标准封装 
    • 批号20+ 
    • 富士全新原装正品热卖产品，更多型号咨询客服。
    • QQ:569998567QQ：569998567 复制
    • 18721906708 QQ:569998567
    • 6MBI35S-120图

    • 北京创易科技有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量585 
    • 厂家FUJI 
    • 封装标准封装 
    • 批号16+ 
    • 全新原装现货，010-51659567 易经理
    • QQ:156807666QQ：156807666 复制
    • 010-51659567 QQ:156807666
    • 6MBI35S-120图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 6MBI35S-120
    • 数量16000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

    产品型号6MBI35S-120的概述

    6MBI35S-120 芯片概述 6MBI35S-120 是由三菱电机公司（Mitsubishi Electric）生产的一款高功率模块，广泛应用于工业自动化、可再生能源以及电力控制等领域。这款芯片属于三相逆变器模块，主要用于驱动电机和转换直流电源为交流电源，是现代电力电子设备中的关键组件之一。6MBI35S-120 的高可靠性、高效率和良好的热管理特性使其在各种严苛环境下均能稳定工作。 6MBI35S-120 的详细参数 6MBI35S-120 主要包括以下技术参数： - 额定电压: V_R : 1200V - 额定电流: I_R : 35A - 开关频率: 通常可达 20kHz - 最大电压: V_RRM (反向重复峰值电压): 1200V - 绝缘电阻: 不小于 1000 MΩ (在 500V DC 下) - 热阻: R_th(j-c): 0.5 °C/W - 工作温度范围: -...

    产品型号6MBI35S-120的Datasheet PDF文件预览

    IGBT Modules  
    6MBI35S-120  
    IGBT MODULE ( S series)  
    1200V / 35A 6 in one-package  
    Features  
    · Compact package  
    · P.C.board mount  
    · Low VCE(sat)  
    Applications  
    · Inverter for motor drive  
    · AC and DC servo drive amplifier  
    · Uninterruptible power supply  
    · Industrial machines, such as welding machines  
    Maximum ratings and characteristics  
    Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)  
    Item  
    Symbol  
    VCES  
    VGES  
    IC  
    Unit  
    V
    Rating  
    Collector-Emitter voltage  
    Gate-Emitter voltage  
    Collector Continuous Tc=25°C  
    Equivalent Circuit Schematic  
    1200  
    V
    ±20  
    13(P)  
    A
    50  
    current  
    Tc=80°C  
    35  
    1(G u)  
    5(G v)  
    9(G w)  
    1ms  
    Tc=25°C IC pulse  
    Tc=80°C  
    A
    100  
    70  
    2(Eu)  
    6(Ev)  
    10(Ew)  
    -IC  
    A
    35  
    16(U)  
    15(V)  
    14(W )  
    1ms  
    -IC pulse  
    A
    70  
    240  
    3(G x)  
    4(Ex)  
    7(G y)  
    8(Ey)  
    11(G z)  
    12(Ez)  
    Max. power dissipation (1 device)  
    Operating temperature  
    Storage temperature  
    Isolation voltage  
    PC  
    W
    °C  
    °C  
    V
    Tj  
    +150  
    17(N)  
    Tstg  
    -40 to +125  
    AC 2500 (1min.)  
    3.5  
    Vis  
    Screw torque  
    Mounting *1  
    N·m  
    *1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)  
    Electrical characteristics (Tj=25°C unless otherwise specified)  
    Item  
    Symbol  
    Characteristics  
    Conditions  
    Unit  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    1.0  
    ICES  
    –
    –
    –
    –
    Zero gate voltage collector current  
    Gate-Emitter leakage current  
    VGE=0V, VCE=1200V  
    VCE=0V, VGE=±20V  
    VCE=20V, IC=35mA  
    mA  
    µA  
    V
    IGES  
    0.2  
    VGE(th)  
    VCE(sat)  
    5.5  
    7.2  
    8.5  
    Gate-Emitter threshold voltage  
    Collector-Emitter saturation voltage  
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    2.3  
    2.8  
    2.65  
    Tj=25°C VGE=15V, IC=35A  
    Tj=125°C  
    V
    –
    –
    Cies  
    Coes  
    Cres  
    ton  
    tr  
    4200  
    875  
    770  
    0.35  
    0.25  
    0.1  
    Input capacitance  
    VGE=0V  
    pF  
    µs  
    –
    Output capacitance  
    Reverse transfer capacitance  
    Turn-on time  
    VCE=10V  
    –
    f=1MHz  
    1.2  
    0.6  
    –
    VCC=600V  
    IC=35A  
    tr(i)  
    toff  
    tf  
    VGE=±15V  
    RG=33Ω  
    0.45  
    0.08  
    2.5  
    1.0  
    0.3  
    3.3  
    –
    Turn-off time  
    VF  
    Diode forward on voltage  
    Reverse recovery time  
    Tj=25°C  
    Tj=125°C  
    IF=35A  
    IF=35A, VGE=0V  
    V
    2.0  
    trr  
    –
    0.35  
    µs  
    Thermal resistance characteristics  
    Item  
    Symbol  
    Characteristics  
    Conditions  
    Unit  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Rth(j-c)  
    Rth(j-c)  
    Rth(c-f)*2  
    IGBT  
    FWD  
    –
    –
    –
    –
    –
    0.52  
    0.90  
    –
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    Thermal resistance  
    the base to cooling fin  
    0.05  
    *2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
    6MBI35S-120  
    IGBT Modules  
    Characteristics  
    Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
    Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
    Tj= 125 oC (typ.)  
    Tj= 25 oC (typ.)  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    15V  
    15V  
    12V  
    12V  
    VGE= 20V  
    VGE= 20V  
    10V  
    10V  
    8V  
    8V  
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    :
    4
    5
    0
    5
    0
    1
    2
    3
    :
    4
    5
    Collector - Emitter voltage  
    VCE [ V ]  
    Collector - Emitter voltage  
    VCE [ V ]  
    Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
    VGE=15V (typ.)  
    Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage  
    Tj= 25 oC (typ.)  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    10  
    8
    Tj= 125 o  
    C
    Tj= 25oC  
    6
    4
    Ic= 70A  
    Ic= 35A  
    2
    Ic= 17.5A  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    Collector - Emitter voltage  
    :
    VCE [ V ]  
    Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]  
    Dynamic Gate charge (typ.)  
    Vcc=600V, Ic=35A, Tj= 25 oC  
    Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)  
    VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25 oC  
    10000  
    1000  
    100  
    1000  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Cies  
    Coes  
    Cres  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    35  
    100  
    200  
    Gate charge : Qg [ nC ]  
    300  
    400  
    Collector - Emitter voltage  
    :
    VCE [ V ]  
    6MBI35S-120  
    IGBT Modules  
    Switching time vs. Collector current (typ.)  
    Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=33Ω,Tj=25oC  
    Switching time vs. Collector current (typ.)  
    Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=33Ω,Tj=125oC  
    1000  
    500  
    1000  
    500  
    toff  
    toff  
    ton  
    tr  
    ton  
    tr  
    tf  
    100  
    50  
    100  
    50  
    tf  
    0
    20  
    40  
    Ic [ A ]  
    60  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    Collector current  
    :
    Collector current : Ic [ A ]  
    Switching time vs. Gate resistance (typ.)  
    Switching loss vs. Collector current (typ.)  
    Vcc=600V,Ic=35A,VGE=±15V, Tj=25oC  
    Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=33Ω  
    5000  
    10  
    8
    Eon(125 oC)  
    1000  
    500  
    Eon(25 oC)  
    6
    Eoff(125 oC)  
    Eoff(25o)C  
    toff  
    4
    ton  
    2
    tr  
    tf  
    Err(125 oC)  
    Err(25 oC)  
    100  
    50  
    0
    10  
    50  
    100  
    Rg  
    500  
    20  
    40  
    60  
    Gate resistance  
    :
    [
    Ω
    ]
    Collector current : Ic [ A ]  
    Reverse bias safe operating area  
    Switching loss vs. Gate resistance (typ.)  
    Vcc=600V,Ic=35A,VGE=±15V,Tj=125oC  
    +VGE=15V, -VGE<15V, Rg>33Ω,Tj<125oC  
    =
    =
    =
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    100  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    Eon  
    Eoff  
    Err  
    0
    10  
    50  
    100  
    Rg  
    500  
    200  
    400  
    600  
    800  
    1000  
    1200  
    1400  
    Gate resistance  
    :
    [
    Ω
    ]
    Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]  
    6MBI35S-120  
    IGBT Modules  
    Fo rwa rd c urre nt vs. Fo rwa rd o n vo lta g e (typ .)  
    Re ve rse re c o ve ry c ha ra c te ristic s (typ .)  
    Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=33Ω  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    300  
    Tj=25 o  
    C
    Tj=125 o  
    C
    trr(125 o C)  
    trr(25 o C)  
    100  
    Irr(125 o C)  
    Irr(25 o C)  
    10  
    0
    1
    2
    3
    4
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    Fo rwa rd o n vo lta g e  
    :
    VF [ V ]  
    Fo rwa rd c urre nt  
    :
    IF [ A ]  
    Tra nsie nt the rm a l re sista nc e  
    3
    1
    FWD  
    IG BT  
    0.1  
    0.01  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    : Pw [ se c ]  
    1
    Pulse wid th  
    Outline Drawings, mm  
    107.5±1  
    93±0.3  
    4-ø6.1±0.3  
    2-ø5.5±0.3  
    16.02  
    15.24  
    15.24  
    15.24  
    15.24  
    17  
    13  
    ø2.5±0.1  
    69.6±0.3  
    93±0.3  
    ø2.1±0.1  
    A
    A
    Section A-A  
    ø0.4  
    1
    12  
    3.81  
    16.02 11.43 11.43 11.43 11.43 11.43  
    1.15±0.2  
    Shows theory dimensions  

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