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  • 深圳市楷兴电子科技有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 上海典宇电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家FUJI/富士电机 
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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号6MBI75VA-120-50的概述

芯片6MBI75VA-120-50的概述 6MBI75VA-120-50是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)公司制造的IGBT模块。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)因其兼具MOSFET和BJT的优良特性而在高功率和高频应用中得到广泛应用。6MBI75VA-120-50特别适用于...
配单直通车
6MBI75VA-120-50产品参数
型号:6MBI75VA-120-50
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数:28
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X21
元件数量:6
端子数量:21
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):530 ns
标称接通时间 (ton):390 ns
Base Number Matches:1
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