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产品型号6RI75E-060的概述

芯片6RI75E-060的概述 6RI75E-060是由全球知名半导体制造商INTERNATIONAL RECTIFIER(国际整流器公司)推出的一款高性能IGBT模块。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)因其高效能和卓越的开关能力,被广泛应用于工业、电力和电动车辆等领域。随着电子技术的不断进步和电力需求的增加,像6RI75E-060这样的高效IGBT模块正变得越来越重要,其设计旨在满足高功率应用所需的高可靠性和低开关损耗。 6RI75E-060的主要特性包括高额定电流和电压值,适合用于高功率驱动和变换器应用。这种模块能够在高频操作下保持出色的性能,并支持高达75A的额定电流和600V的耐压,显示了其在电力电子领域中的广泛适用性。 芯片6RI75E-060的详细参数 1. 额定电流:75A 2. 额定电压:600V 3. 开关频率:通常可达到20kHz以上 4. 损耗特性: - 正向电...

产品型号6RI75E-060的Datasheet PDF文件预览

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Collmer Semiconductor, Inc.  
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Dallas, TX 75370  
972-733-1700  
972-381-9991 Fax  
http://www.collmer.com  
配单直通车
6RI75E-060产品参数
型号:6RI75E-060
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:R-XUFM-X5
针数:5
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5
最大非重复峰值正向电流:1000 A
元件数量:6
相数:3
端子数量:5
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:75 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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