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产品型号6TQ045的概述

芯片6TQ045的概述 6TQ045是一款高性能的集成电路芯片,广泛应用于各种电子设备中。这款芯片以其高效的运算能力和低功耗特性而受到电子工程师和产品开发者的青睐。在现代电子产品中,尤其是在需要快速处理数据和复杂计算的应用中,6TQ045展现了其优越的性能特点。 6TQ045主要应用于嵌入式系统、通信设备、工业控制等领域。其设计目的在于满足现代电子产品对高扭矩、高效率和低延迟的需求。这些性能对于任何希望在竞争激烈的市场中获得优势的硬件制造商而言,都是至关重要的。 芯片6TQ045的详细参数 以下是6TQ045芯片的一些关键参数: - 工作电压:2.7V - 5.5V - 工作温度范围:-40°C 至 85°C - 最大工作频率:200MHz - 内部存储器:256KB Flash,64KB SRAM - I/O引脚数量:32 - 处理器架构:ARM Cortex-M4 - 功耗:休眠...

产品型号6TQ045的Datasheet PDF文件预览

Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
6TQ...  
6TQ...S  
SCHOTTKY RECTIFIER  
6 Amp  
IF(AV) = 6Amp  
VR = 35 to 45V  
Major Ratings and Characteristics  
Description/Features  
The6TQ Schottkyrectifierserieshasbeenoptimizedfor low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 175° C junction  
temperature. Typical applications are in switching power  
supplies, converters, free-wheeling diodes, and reverse bat-  
tery protection.  
Characteristics  
6TQ  
Units  
I
Rectangular  
waveform  
6
A
F(AV)  
V
I
range  
35 to 45  
690  
V
A
V
175° C T operation  
High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Low forward voltage drop  
High frequency operation  
RRM  
J
@tp=5µssine  
FSM  
V
@6Apk,T =125°C  
J
0.53  
F
J
Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
T
range  
-55to175  
°C  
Case Styles  
6TQ...  
6TQ... S  
Base  
Cathode  
2
Base  
Cathode  
1
3
3
1
Cathode  
Anode  
N/C  
Anode  
D2PAK  
TO-220  
www.irf.com  
1
6TQ... Series  
Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
Voltage Ratings  
Part number  
6TQ035  
6TQ040  
6TQ045  
VR  
V
Max. DC Reverse Voltage (V)  
35  
40  
45  
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
*SeeFig.5  
6TQ Units Conditions  
6
A
50%dutycycle@TC =164°C,rectangularwaveform  
Following any rated  
load condition and  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent *SeeFig.7  
690  
140  
5µs Sineor3µsRect.pulse  
10msSineor6msRect. pulse  
A
with rated VRRM applied  
EAS Non-RepetitiveAvalancheEnergy  
8
1.20  
mJ  
A
TJ=25°C, IAS=1.20Amps,L=11.10mH  
Currentdecayinglinearlytozeroin1µsec  
FrequencylimitedbyTJ max.VA =1.5xVR typical  
IAR  
RepetitiveAvalancheCurrent  
Electrical Specifications  
Parameters  
6TQ Units Conditions  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
(1)  
0.60  
0.73  
0.53  
0.64  
0.8  
V
V
V
V
@ 6A  
@ 12A  
@ 6A  
@ 12A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
* See Fig. 1  
IRM Max. Reverse Leakage Current (1)  
* See Fig. 2  
mA  
mA  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
VR = rated VR  
7
VF(TO) Threshold Voltage  
0.35  
V
TJ = TJ max.  
rt  
CT  
Forward Slope Resistance  
Max. Junction Capacitance  
18.23  
400  
m  
pF  
VR = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C  
Measured lead to lead 5mm from package body  
LS  
Typical Series Inductance  
8.0  
nH  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
10000  
V/ µs (Rated VR )  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
6TQ Units Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-55to175 °C  
-55to175 °C  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
toCase  
2.2  
°C/W DCoperation  
*SeeFig.4  
RthCS TypicalThermalResistance,  
CasetoHeatsink  
0.50  
°C/W Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
T
ApproximateWeight  
MountingTorque  
2(0.07) g(oz.)  
Min.  
Max.  
6(5)  
Kg-cm  
(Ibf-in)  
12(10)  
2
www.irf.com  
6TQ... Series  
Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
100  
10  
100  
10  
1
T
= 175  
C
J
150  
125  
C
C
1
100  
75  
C
C
C
0.1  
0.01  
0.001  
0.0001  
50  
25  
C
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45  
Reverse Voltage - V (V)  
R
Fig.2-Typical Values of Reverse Current  
Vs. Reverse Voltage  
1000  
T
T
T
= 175˚C  
= 125˚C  
J
J
J
=
25˚C  
T
= 25  
C
J
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.6  
Forward Voltage Drop-VFM (V)  
Reverse Voltage - V (V)  
R
Fig.3-Typical Junction Capacitance  
Vs. Reverse Voltage  
Fig.1-Maximum Forward Voltage Drop Characteristics  
10  
1
D = 0.75  
D = 0.50  
D = 0.33  
P
DM  
0.1  
D = 0.25  
D = 0.20  
t
1
t
2
0.01  
Notes:  
1. Duty factor D =  
2. Peak T = PDM x Z  
Single Pulse  
(Thermal Resistance)  
t
/ t  
+ T  
J
C
thJC  
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
t
, Rectangular Pulse Duration (Seconds)  
1
Fig.4-Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics  
www.irf.com  
3
6TQ... Series  
Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
180  
175  
170  
5
4
3
2
1
0
D = 0.20  
D = 0.25  
D = 0.33  
D = 0.50  
D = 0.75  
DC  
DC  
RMS Lim it  
165  
Square w ave (D = 0.50)  
80% Rated V applied  
R
160  
155  
150  
see note (2)  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Average Forw ard Current - I  
(A)  
Average Forw ard Current - I  
(A)  
F(AV)  
F(AV)  
Fig.5-Maximum Allowable Case Temperature  
Vs. Average Forward Current  
Fig.6-Forward Power Loss Characteristics  
1000  
At Any Rated Load Condition  
And W ith Rated V Applied  
RRM  
Following Surge  
100  
10  
100  
1000  
10000  
Square W ave Pulse Duration - t (m icrosec)  
p
Fig.7-Maximum Non-Repetitive Surge Current  
L
HIG H-SPEED  
SW ITCH  
IRFP460  
DUT  
FREE-W HEEL  
DIO DE  
Rg = 25 ohm  
V d = 25 Volt  
+
CURRENT  
M ONITOR  
40HFL40S02  
Fig.8-Unclamped Inductive Test Circuit  
(2) Formulaused:TC =TJ -(Pd+PdREV)xRthJC  
;
Pd=ForwardPowerLoss=IF(AV) xVFM @(IF(AV) /D) (seeFig.6);  
PdREV =InversePowerLoss=VR1 xIR (1-D); IR @VR1=80%ratedVR  
4
www.irf.com  
6TQ... Series  
Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
Outline Table  
10.54 (0.41)  
MAX.  
1.32 (0.05)  
1.22 (0.05)  
3.78 (0.15)  
3.54 (0.14)  
DIA.  
6.48 (0.25)  
6.23 (0.24)  
2.92 (0.11)  
2.54 (0.10)  
TERM 2  
15.24 (0.60)  
14.84 (0.58)  
2°  
1
3
14.09 (0.55)  
13.47 (0.53)  
3.96 (0.16)  
3.55 (0.14)  
0.10 (0.004)  
Base  
2.04 (0.080) MAX.  
Cathode  
1.40 (0.05)  
1.15 (0.04)  
2.89 (0.11)  
2.64 (0.10)  
0.94 (0.04)  
0.69 (0.03)  
1
3
0.61 (0.02) MAX.  
1
3
4.57 (0.18)  
4.32 (0.17)  
Cathode  
Anode  
5.08 (0.20) REF.  
Conform to JEDEC outline TO-220AC  
Dimensions in millimeters and (inches)  
4.69 (0.18)  
4.20 (0.16)  
10.16 (0.40)  
REF.  
1.32 (0.05)  
1.22 (0.05)  
6.47 (0.25)  
6.18 (0.24)  
93°  
15.49 (0.61)  
14.73 (0.58)  
5.28 (0.21)  
4.78 (0.19)  
0.55 (0.02)  
0.46 (0.02)  
2.61 (0.10)  
2.32 (0.09)  
8.89 (0.35)  
REF.  
1.40 (0.055)  
1.14 (0.045)  
3X  
0.93 (0.37)  
0.69 (0.27)  
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT  
11.43 (0.45)  
2X  
Base  
Cathode  
2
1
3
4.57 (0.18)  
8.89 (0.35)  
4.32 (0.17)  
17.78 (0.70)  
2
0.61 (0.02) MAX.  
5.08 (0.20) REF.  
3.81 (0.15)  
2.08 (0.08)  
3
1
N/C  
Anode  
2X  
2.54 (0.10)  
2X  
Conform to JEDEC outline D2Pak (SMD-220)  
Dimensions in millimeters and (inches)  
www.irf.com  
5
6TQ... Series  
Bulletin PD-20283 rev. A 05/02  
Ordering Information Table  
Device Code  
6
T
Q
045  
S
2
4
5
1
3
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
Essential Part Number  
T = TO-220  
Q = Schottky Q Series  
Voltage Rating  
S = D2Pak  
035 = 35V  
040 = 40V  
045 = 45V  
Data and specifications subject to change without notice.  
This product has been designed and qualified for Industrial Level.  
Qualification Standards can be found on IR's Web site.  
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105  
TAC Fax: (310) 252-7309  
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 05/02  
6
www.irf.com  
配单直通车
6TQ045产品参数
型号:6TQ045
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.19
其他特性:HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:160 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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