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  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家IDTIntegratedDeviceTechnologyInc 
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  • 厂家IDT, Integrated Device Technology Inc 
  • 封装108-PGA(30.48x30.48) 
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  • 厂家Renesas. 
  • 封装108-PGA 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家RENESAS(瑞萨电子) 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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7052L35G产品参数
型号:7052L35G
Brand Name:Integrated Device Technology
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:PGA
包装说明:PGA, PGA108,12X12
针数:108
制造商包装代码:GU108
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.07
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/11321609.2.2.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=11321609
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=11321609
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=11321609
Samacsys PartID:11321609
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/7052L35G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/7052L35G.jpg
Samacsys Pin Count:108
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:GU108_1
Samacsys Released Date:2020-02-11 16:32:20
Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CPGA-P108
JESD-609代码:e0
长度:30.48 mm
内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:FOUR-PORT SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端口数量:4
端子数量:108
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:2KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:PGA
封装等效代码:PGA108,12X12
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.207 mm
最大待机电流:0.0006 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:30.48 mm
Base Number Matches:1
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