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| 型号: | 70V06L15JG |
| Brand Name： | Integrated Device Technology |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | PLCC |
| 包装说明： | QCCJ, |
| 针数： | 68 |
| 制造商包装代码： | PLG68 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.51 |
| 最长访问时间： | 15 ns |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 24.2062 mm |
| 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 68 |
| 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 24.2062 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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