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71256L20YG产品参数
型号:71256L20YG
Brand Name:Integrated Device Technology
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ28,.34
针数:28
制造商包装代码:PJG28
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:0.63
最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e3
长度:17.9324 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm
最大待机电流:0.00012 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.135 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.5184 mm
Base Number Matches:1
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