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7140LA100JG8产品参数
型号:7140LA100JG8
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数:52
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.04
最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e3
长度:19.1262 mm
内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端口数量:2
端子数量:52
字数:1024 words
字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm
最大待机电流:0.0015 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1
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