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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 厂家Renesas. 
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71V65703S80BQG产品参数
型号:71V65703S80BQG
Brand Name:Integrated Device Technology
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:CABGA
包装说明:BGA,
针数:165
制造商包装代码:BQG165
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.27
最长访问时间:8 ns
其他特性:FLOW-THROUGH
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1
内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:36
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:165
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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