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| 型号: | 7200L35JG |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.35 |
| 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 22.2 MHz |
| 周期时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 2304 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 |
| 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 256X9 |
| 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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