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ONSEMI 74HCT04DR2G
中文翻译
Hex Inverter With LSTTL−Compatible Inputs High−Performance Silicon−Gate CMOS
六角逆变器输入通道兼容输入高性能硅栅CMOS

74HCT04DR2G详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP14,.25
针数
14
Reach Compliance Code
unknown
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
6.86
系列
HCT
JESD-30 代码
R-PDSO-G14
JESD-609代码
e3
长度
8.65 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
INVERTER
最大I(ol)
0.004 A
湿度敏感等级
1
功能数量
6
输入次数
1
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP14,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup
26 ns
传播延迟(tpd)
26 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
1.75 mm
子类别
Gates
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
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