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74HCT08DR2GH产品参数
型号:74HCT08DR2GH
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,
针数:14
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.01
系列:HCT
JESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e3
长度:8.65 mm
逻辑集成电路类型:AND GATE
湿度敏感等级:1
功能数量:4
输入次数:2
端子数量:14
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):22 ns
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm
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