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85C72-E/P产品参数
型号:85C72-E/P
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87
其他特性:10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:200
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:9.46 mm
内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:8
字数:128 words
字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128X8
输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.32 mm
串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.0001 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.00425 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):1 ms
Base Number Matches:1
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