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8ETH06S产品参数
型号:8ETH06S
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码:TO-263
包装说明:D2PAK-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:HYPER FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.3 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:90 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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