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| 型号: | 93LC66-I/P |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 7.66 |
| 备用内存宽度： | 16 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 200 |
| 耐久性： | 10000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 9.9695 mm |
| 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512X8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.064 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.00003 A |
| 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
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