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  • 9SBV0802AKILFT图
  • 集好芯城

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  • 数量3566 
  • 厂家IDT(Renesas收购) 
  • 封装 
  • 批号22+ 
  • 原装原厂公司现货
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家RENESAS(瑞萨电子) 
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  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家RENESAS(瑞萨电子) 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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配单直通车
9SDT12D产品参数
型号:9SDT12D
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.85
模拟集成电路 - 其他类型:DC-DC UNREGULATED POWER SUPPLY MODULE
效率(主输出):78%
最大输入电压:11 V
最小输入电压:7 V
标称输入电压:9 V
JESD-30 代码:R-XDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:19.812 mm
功能数量:1
输出次数:2
端子数量:8
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C
最大输出电压:12.4 V
最小输出电压:11.6 V
标称输出电压:12 V
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
技术:HYBRID
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大总功率输出:0.75 W
微调/可调输出:NO
宽度:7.9248 mm
Base Number Matches:1
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