AD7811/AD7812
利用AD7811的伪差分方案的示例
示于图6中的相关位的AD7811控制
寄存器设置如下DIF / SGL = 1中，CH1 = CH2 = 0，即
V
IN1
伪差分相对于V
IN2
。该信号是
适用于V
IN1
但在伪差分方案SAM-
耦电容器被连接到V
IN2
在转换过程中，而不是
AGND作为转换操作部分描述。这
的输入方案可用于除去存在于一个系偏移
统。例如， 0.5伏，如果在系统已偏移的偏移
可以应用到V
IN2
和施加到V的信号
IN1
。这有
0.5 V.抵消输入范围的效果只有POS-
sible抵消输入跨度时，参考电压为少
比V
DD
-offset 。
收费
再分配
DAC
V
IN1
V
IN1
V
OFFSET
V
IN-
V
OFFSET
V
IN2
V
DD
/3
转变
相
V
IN +
采样
电容
控制
逻辑
比较
时钟
OSC
图8示出了等效的充电电路，用于采样
电容当ADC处于收购阶段。 R2表象
货物内的缓冲放大器或电阻的源阻抗
网; R 1是一个内部多路转换器的电阻， C1是
采样电容。在采集阶段抽样
电容必须在1/2其最终值的LSB收取。
它需要对采样电容的充电时间（T
收费
）是
给出下式：
T
收费
= 7.6
×
(R2 + 125
Ω) ×
3.5
pF
R2
V
IN +
R1
125
C1
3.5pF
采样
电容
图8.等效采样电路
对于源阻抗较小的值，稳定时间associ-
ated与取样电路（100纳秒）是，实际上，在采集
ADC的化时间。例如，具有一个源阻抗
10 （R 2）
Ω
充电时间为采样电容器是
大约4纳秒。充电时间变为显著
2 kΩ和更大的源阻抗。
AC采集时间
图6.伪差分输入方案
当使用伪差分输入方案的信号
V
IN2
超过1/2的LSB的转换过程中，必须不发生变化
锡永的过程。如果V信号
IN2
在转换过程中变化，则
转换结果将不正确。在单端模式
采样电容器始终连接CON-期间AGND
版本。图7示出了利用AD7811 / AD7812伪differen-
TiAl金属输入被用来使一个单极直流电流的测量。
感电阻用于将电流转换为电压，并
该电压被施加到所述差分输入，如图所示。
V
DD
V
IN +
R
SENSE
在交流应用中，建议总是缓冲模拟
输入信号。驱动电路的源阻抗必须
保持尽可能低，以最小化的采集时间
该ADC。源的阻抗值较大将导致THD
为降低在高吞吐速率。此外，更好perfor-
曼斯一般可以通过使用一个外部1 nF的实现
电容上的V
IN
.
片内基准
AD7811/
AD7812
V
IN-
R
L
图7.直流电流测量方案
DC采集时间
利用AD7811和AD7812具有一个片上2.5 V基准电压源
电路。图9中的示意图显示了如何参考
电路实现的。 1.23 V带隙基准的不断积累起来
提供2.5 V
±
2 ％的基准电压。片上为参考
ENCE无法使用外部（ SW2是打开的） 。一个外部基准
ENCE （ 1.2 V到V
DD
）可以在V施加
REF
引脚。但是，在
为了使用外部基准的EXTREF位CON组
控制寄存器（位0 ），首先必须设置为逻辑1。当EXTREF
被设置为逻辑1 SW2闭合， SW3，将打开和扩增
费里就会断电。这将减少电流消耗
该部分由大约1毫安的电流。它是可以使用两种不同的
通过选择的片上基准或外部参考电压
参考。
C
REF
外
电容
SW1
SW2
ADC开始了新的收购阶段在转换的结束
锡永，结束于的下降沿
CONVST
信号。在
一个转换结束的一个建立时间与SAM-关联
耦电路。这个稳定时间大约持续100纳秒。该
在V模拟信号
IN +
也正在这个过程中沉淀收购
时间。因此，所需要的最小采集时间是
大约100纳秒。
V
REF
1.23V
2.5V
7pF
SW3
AGND
图9.片内基准电压电路
版本B
–11–
AD [ ANALOG DEVICES ]
