ADM690–ADM695
销刀豆网络gurations
V
BATT
1
V
OUT
2
V
CC
16复位
3
4
GND
ADM691
ADM693
ADM695
顶视图
（不按比例）
15 RESET
14 WDO
13 CE
12
IN
V
OUT
V
CC
1
2
3
4
BATT ON 5
低线6
OSC IN
7
CE
OUT
ADM690
ADM692
ADM694
顶视图
（不按比例）
8
7
6
5
V
BATT
RESET
WDI
PFO
GND
PFI
11 WDI
10
9
PFO
PFI
OSC SEL 8
产品选择指南
部分
数
标称复位
时间
标称V
CC
复位门限
标称看门狗
超时时间
备用电池
开关
基极驱动
外部PNP
芯片使能
信号的
ADM690
ADM691
ADM692
ADM693
ADM694
ADM695
50毫秒
50 ms或ADJ
50毫秒
50 ms或ADJ
200毫秒
200 ms或ADJ
4.65 V
4.65 V
4.4 V
4.4 V
4.65 V
4.65 V
1.6 s
100毫秒， 1.6 S， ADJ
1.6 s
100毫秒， 1.6 S， ADJ
1.6 s
100毫秒， 1.6 S， ADJ
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
No
是的
No
是的
No
是的
No
是的
电路信息
电池切换章节
电池切换电路比较V
CC
于V
BATT
输入端，并连接V
OUT
要以较高者为准。切换
发生在V
CC
是比V 50 mV的更高
BATT
为V
CC
瀑布和
当V
CC
是比V 70 mV的更大
BATT
为V
CC
上升。这
滞后20 mV的防止重复快速切换，如果V
CC
下降非常缓慢或者几乎保持等于电池电压。
如果在V的连续输出电流要求
OUT
超过
百毫安或者如果下侧的V
CC
–V
OUT
电压差是需要的，
外部PNP旁路晶体管，可以并行地连接
与内部晶体管。棉絮ON输出（ ADM691 /
ADM693 / ADM695 ）可直接驱动外部的基
晶体管。
A 20
Ω
MOSFET开关连接在V
BATT
输入到V
OUT
在备用电池。这种MOSFET具有极低的输入用于─
输出差分（压差），在低电流水平
备份的CMOS RAM或其它低所需的电池
功耗CMOS电路。的电源电流在备用电池
通常是0.6
µA.
在ADM690 / ADM691 / ADM694 / ADM695与经营
从2.0 V至4.25 V和ADM692 / ADM693的电池电压
从2.0 V至4.0 V.高价值的电池电压工作
电容，无论是标准的电解或法拉尺寸双人
层电容器，也可用于短期记忆回
了。通常10 nA的一小充电电流（ 0.1
µA
MAX ）
流出Ⅴ的
BATT
终奌站。该电流是有用
在充满电的状态保持可再充电电池。
这通过补偿延伸的备用电池的寿命
对于其自放电电流。还要注意的是这个当前姿势
没有当锂电池被用于备份以来问题
最大充电电流（ 0.1
µA)
是安全的，即使是
最小的锂电池。
如果电池切换部不使用，V
BATT
应
连接到GND和V
OUT
应连接到V
CC
.
图1.电池切换原理
在与V正常运行
CC
比V高
BATT
, V
CC
是IN-
ternally切换为V
OUT
经由内部PMOS晶体管
开关。此开关具有1.5的典型的导通电阻
Ω
并能
100 mA电源了在V
OUT
终奌站。 V
OUT
通常
用于驱动这可能需要instanta-一个RAM存储体
大于100毫安neous电流。如果是这种情况，那么一个
旁路电容应连接到V
OUT
。电容器
将提供的峰值电流瞬变到RAM中。一个电容
0.1 tance价值
µF
以上也可以使用。
REV 。一
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AD [ ANALOG DEVICES ]
