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AT-32063-TR1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AT-32063-TR1
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内容描述: 低电流,高性能硅NPN双极晶体管 [Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 86 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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低电流,高绩效
NPN硅双极晶体管
技术参数
AT-32063
特点
•高性能双极
晶体管优化
低电流,低电压
手术
• 900 MHz的性能:
1.1分贝NF , 14.5分贝摹
A
•特点是终了
生活中使用电池( 2.7 V )
• SOT- 363 ( SC - 70 )塑料
•带盘式包装
可用选项
[1]
描述
在AT- 32063包含两个高
性能NPN双极型晶体管
器在一个单一的SOT- 363封装。
该设备未连接,
允许在设计上的灵活性。该
引脚输出,便于级联
放大器设计。采用SOT -363
包是一个行业标准
塑料表面贴装封装。
的3.2微米的发射极 - 发射极
俯仰和减少寄生设计
晶体管产量极其
高性能产品
可以执行的多个
任务。 20个发射器手指
相互交叉的几何形状产生一个
晶体管,很容易匹配到
和极快,中度
功率,低噪音性,并
低工作电流。
优化的性能,在2.7 V
使该器件非常适合用于
900兆赫, 1.8千兆赫,和2.4GHz
电池供电系统作为
低噪声放大器,增益级,缓冲器,振荡器
或有源混频器。典型的放大器
在900MHz的设计得到1.3分贝
12分贝以上的噪声系数
在2.7 V , 5毫安相关增益
偏置,噪声性能
是相对不敏感的
输入匹配。高增益能力
在1 V , 1毫安使这一设备
非常适用于900 MHz的寻呼机应用程序
阳离子。击穿电压是
足够高的使用在5伏。
在AT -3系列双极晶体管
使用优化的被制造
版惠普的
10 GHz的˚F
t
30 GHz的˚F
最大
排列晶体管( SAT )的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀,性能
和可靠性是由制造
使用离子注入,自
对准技术,和黄金
金属化中的制造
这些设备。
表面贴装封装
SOT- 363 ( SC- 70 )
引脚连接和
包装标志
1
B
1
2
E
1
3
C
2
4
B
2
5
E
2
6
C
1
I
I
4-63
5965-8921E