ATF- 34143 SC- 70 4引线，高频非线性模型
优化0.1 - 6.0 GHz的
公式LA = 0.1 nH的
公式磅= 0.1 nH的
公式LC = 0.8 nH的
公式LD = 0.6 nH的
公式的Rb = 0.1 OH
公式CA = 0.15 pF的
公式的Cb = 0.15 pF的
L
GATE_IN
L = LC
LOSSYL
L =磅
R =铷
C
C =钙
G
L
来源
L =拉
S
LOSSYL
L =磅
R =铷
LOSSYL
L =磅
R =铷
L = Ld的
L
DRAIN_OUT
R
R = 0.1 OH
LOSSYL
L =磅
R =铷
LOSSYL
L =磅
R =铷
C = Cb的
L
来源
L =拉* 0.5
C
D
该模型可以用作一个
设计工具。它已经过测试
MDS的各种规格。
然而，对于更精确和
精确的设计，请参考
在此数据中的测量数据
表。对于未来的改进
安捷伦保留的权利
改变这些模型没有
另行通知。
ATF- 34143模具模型
*
STATZ MESFET模型
*
MODEL = FET
寄生
RG=1
RD =路
RS =卢比
LG了Lg = nH的
LD = Ld的nH的
LS = LS nH的
CDS =硫化镉pF的
CRF=.1
RC = RC
入侵检测系统模型
NFET = YES
PFET =
IDSMOD=3
VTO=–0.95
BETA测试版=
LAMBDA=0.09
ALPHA=4.0
B=0.8
TNOM=27
Idstc =
VBI=.7
门模型
DELTA=.2
GSCAP=3
CGS = pF的CGS
GDCAP=3
GCD = Cgd的pF的
击穿
GSFWD=1
GSREV=0
GDFWD=1
GDREV=0
VJR=1
是= 1 nA的
IR = 1 nA的
IMAX=.1
XTI =
N=
EG =
噪音
FNC=01e+6
R=.17
P=.65
C=.2
M odelscal FA构建函数（ W = FET widthinmicrons ）
XX
D
Ë QUAT我0：N C D S = 0 。 0 1 * W / 2 0 0
Ë QUAT我0：N B （E T） A = 0 。 0 6 * W / 2 0 0
Ë枇杷I O n个R D = 2 0 0 / W
Ë枇杷I O n个R S = 。 5 * 2 0 0 / W
Ë枇杷I O N c个的s = 0 。 2 * W / 2 0 0
Ë枇杷I O N c个克D = 0 。 0 4 * W / 2 0 0
Ë枇杷I O N L G = 0 。 0 3 * 2 0 0 / W的
Ë枇杷I O N L D = 0 。 0 3 * 2 0 0 / W的
Ë枇杷I O N L S = 0 。 0 1 * 2 0 0 / W的
Ë QUAT我0：N R C = 5 0 0 * 2 0 0 / W
NFETMESFET
XX
G
MODEL = FET
S
XX
S
W=800
µm
12
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
