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ATF-34143-BLK 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ATF-34143-BLK
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内容描述: 低噪声赝HEMT的表面贴装塑料封装 [Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 15 页 / 153 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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ATF- 34143典型性能曲线
35
OIP3
20
1
30
相关的增益(分贝)
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
I
DSQ
(MA )
P
1dB
3V
4V
15
噪声系数(dB )
0.8
0.6
10
0.4
5
3V
4V
0.2
3V
4V
0
0
20
40
60
80
100
120
电流(mA )
0
0
20
40
60
80
100
120
电流(mA )
图6. OIP3和P
1dB
与我
DS
V
DS
调整为NF @ 4V 60毫安
2GHz.
[1,2]
35
OIP3
图7.相关的增益与电流
(I
d
)和电压(V
D
)在2 GHz 。
[1,2]
图8.噪声系数与电流
(I
d
)和电压(V
DS
)在2 GHz 。
[1,2]
25
0.7
0.6
相关的增益(分贝)
30
25
20
15
P
1dB
噪声系数(dB )
3V
4V
20
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
3V
4V
15
10
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
(MA )
80
100
120
3V
4V
5
0
0
20
40
60
80
100
120
电流(mA )
0
20
40
60
80
100
120
电流(mA )
图9. OIP3和P
1dB
与我
DS
V
DS
调整为NF @ 4 V, 60毫安时
900MHz.
[1,2]
1.2
1.0
图10.相关增益与电流
(I
d
)和电压(V
D
)在900兆赫。
[1,2]
图11.噪声系数与电流
(I
d
)和电压(V
DS
)在900兆赫。
[1,2]
25
20
FMIN ( dB)的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2.0
4.0
6.0
频率(GHz )
60毫安
40毫安
20毫安
G
a
( dB)的
15
10
60毫安
40毫安
20毫安
5
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率(GHz )
图12. FMIN与频率和
目前在4 V.
图13.相关增益与
频率和电流在4 V.
注意事项:
1.测量就固定的色调生产测试板,在4 V调整为合理的噪声系数最佳增益匹配,
60毫安偏差。该电路表示之间的最佳噪声匹配,最大增益匹配,并且基于一个可实现的匹配的折衷
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流,I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时,漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的PAE (功率附加效率)相比,
由恒定电流源作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。作为一个例子,在一个V
DS
= 4 V和
I
DSQ
= 10 mA时,我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的逼近。
4