HSMS-2850-TR1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HSMS-2850-TR1
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内容描述：	表面贴装式零偏置肖特基二极管检测器 [Surface Mount Zero Bias Schottky Detector Diodes]
分类和应用：	肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 166 K
品牌：	AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]

应用信息

介绍

安捷伦HSMS- 285x家族

肖特基二极管检测器已经

专为低开发

成本，小批量设计

信号（P

< -20 dBm的）应用程序

系统蒸发散在频率低于

1.5 GHz的。在更高的频率，

直流偏置HSMS- 286x系列

应予以考虑。

在大信号功率或GAIN（增益）

控制应用程序（P

> -20 dBm的），

在HSMS- 282X和HSMS- 286x

产品应该被使用。该

HSMS- 285x零偏压二极管不

专为大信号设计。

肖特基二极管

特征

剥夺其封装，

肖特基势垒二极管芯片

由金属 - 半导体的

通过沉积屏障形成

金属层上的半导体。

最常见的几

不同的类型，所述钝化

二极管中，示出在图5中，沿

其等效电路。

tance二极管，通过控制

外延层的厚度

和肖特基的直径

接触。 ř

是结

二极管的电阻，一个函数

总电流的流动

通过它。

8.33 X 10

-5

NT·

= –––––––––––– = R

– R

+ I

0.026

= - - - - 在25℃下

+ I

哪里

N =理想因子（见表格

SPICE参数）

T =温度

°K

=饱和电流（见

表的SPICE参数）

=外加偏置

目前在安培

是二极管屏障的功能

高度，并且范围可以从

皮安高势垒二极管

到高达5

µA

对于非常低的

垒二极管。

肖特基的高度

屏障

的电流 - 电压特性

肖特基势垒二极管在

室温下被描述

下面的等式：

V - IR

I = I

（实验------ - 1）

0.026

目前，我

和涉及的

二极管的势垒高度。

通过p型的选择或

n型硅，且所述的选择

金属，可以定制字符

肖特基二极管的开创性意义。

势垒高度将被改变，而

在同一时间C

和R

会

改变了。在一般情况下，非常低

势垒高度二极管（具有高

的I值

适于零偏压

应用程序）实现对

p型硅。这种二极管吃亏

从研发的高值

比

在n型。因此， p型二极管是

通常被保留用于小信号

探测器的应用（其中很

的R值高

沼泽出高

）及n型二极管，用于

混频器的应用（其中高

L.O.驱动电平保持ř

低）。

测量二极管的参数

五个测量

元素从而弥补低

频率的等效电路的

封装肖特基二极管（见

图6）是一个复杂的任务。

各种技术可用于

每个元素。任务开始

与上述二极管的元件

芯片本身。

n型或p型硅衬底

;;

金属

钝化

N型或P型外延

钝化

层

肖特基结

(

)

当量

电路

横截面肖特基

势垒二极管芯片

图5.肖特基二极管芯片。

是寄生串联

二极管的电阻，总和

的键合线和引线框

性，的电阻

体层的硅等射频

能量耦合成R

丢失的

热 - 它不向

整流输出二极管。

是寄生结电容

在半对数图（如图

安捷伦目录）的电流

图形将是一条直线

逆坡2.3× 0.026 = 0.060

每循环伏（直到效果

被认为是在一条曲线，它下垂

在高电流）。所有的肖特基

二极管曲线有相同的斜率，

但不一定是相同的值

的电流给定电压。这

由饱和确定

为HSMS- 285x系列

= 0.08 pF的

= 2 NH

= 0.18 pF的

= 25

Ω

= 9 KΩ

图6的等效电路

肖特基二极管。

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