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AO3400A 参数 Datasheet PDF下载

AO3400A图片预览
型号: AO3400A
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 151 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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AO3400A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3400A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3400A是
无铅(符合ROHS &索尼259规格) 。
特点
特点
V
DS
(V) ==30V
V
DS
(V) 30V
I
DD
== 11A (V
GS
==10V)
我5.7A (V
GS
10V)
R
DS ( ON)
< 26.5mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14.5mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<<32mΩ (V
GS
==4.5V)
R
DS ( ON)
18MΩ (V
GS
4.5V)
R
DS ( ON)
< 48mΩ (V
GS
= 2.5V)
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
30
±12
5.7
4.7
25
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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