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CPH6354-TL-W

单 P 沟道功率 MOSFET,-60V,-4A,100mΩ
开关脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GJM1555C1H5R9BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0333C2A3R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1882C2A5R1WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM188L81H682MA03#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0222C1H360GA02#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDP8870

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,156A,4.1mΩ
局域网PC开关晶体管
0 ONSEMI

GRM0335C1H6R1BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1551X1H9R8DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

TLE4999I3

The XENSIV™ TLE4999I3 provides all means that are necessary to fulfill the state-of-the-art functional safety requirements on system level. It is developed in full compliance with ISO 26262. The device provides high redundancy on one chip by means of two sensor elements included within one monolithic silicon design. The two diverse Hall sensor elements („main” and „sub”) have internally separated signal paths within the chip. A plausibility check secures the high diagnostic coverage required for premium functional safety compliant systems up to ASIL-D.
暂无信息
0 INFINEON

GRM1552C1E4R3BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195C2E5R8WB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FGHL50T65SQ

IGBT 650V FS4 高速版,适用于采用 TO-247 封装的 PFC 应用
双极性晶体管功率因数校正
0 ONSEMI

ISC010N04NM6

凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET,英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth,这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
电池驱动栅极
0 INFINEON

GMA05XR71A153KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA