概述
该AM29LV800B是8兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用48球FBGA封装， 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。该装置还
提供已知合格芯片（ KGD ）的形式。欲了解更多
信息，请参阅出版物号21536.该
字宽的数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的（x8 ）数据显示在DQ7 - DQ0 。这
器件只需要一个单一的， 3.0伏V
CC
供应
执行读取，编程和擦除操作。一个标
准EPROM编程器也可用于编程
和擦除设备。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和
该Am29LV800 ，将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。此外，该
AM29LV800B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70 ， 90的访问时间，
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
生成和提供用于调节电压
程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。稳压
存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程
电路。写周期内部也锁存地址
而所需的编程和擦除数据
操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行
程序命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部algo-
rithm自动倍的编程脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。该
开锁
绕行
模式有利于更快的编程时间
通过要求只有两个写周期编程数据
而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的内部算法，自动
matically preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让记忆
行业要擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。该
从工厂发货时，设备被完全擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据
由，或程序数据，任何扇区是不
选择删除。真正的背景擦除因此可以
来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止所有操作
化的进展，并复位内部状态机
读取阵列的数据。在RESET ＃引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备，使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的
减少在这两个模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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Am29LV800B
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
