欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    AF1332N 参数 Datasheet PDF下载

    AF1332N图片预览
    型号： AF1332N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 264 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF1332N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF1332N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF1332N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF1332N的Datasheet PDF文件第5页  
    AF1332N
    N沟道增强型功率MOSFET
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    （注1 ）
    漏电流脉冲
    （注2,3）
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    T
    A
    =25ºC
    T
    A
    =70ºC
    T
    A
    =25ºC
    等级
    20
    ±6
    600
    470
    2.5
    0.35
    0.003
    -55到+150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    mA
    A
    W
    W/
    o
    C
    o
    C
    o
    C
    热数据
    符号
    Rthj -A
    参数
    热阻结到环境
    （注1 ）
    马克斯。
    价值
    360
    单位
    摄氏度/ W
    电气特性
    在T
    A
    =25
    o
    C（除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    静态漏源
    导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流
    (T
    J
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流
    (T
    J
    =70
    o
    C)
    栅源漏
    总栅极电荷
    （注3）
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    导通延迟时间
    （注3）
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    参考25
    o
    C,
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =600mA
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    =400mA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    =600mA
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =16V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±6V
    I
    D
    =600mA,
    V
    DS
    =16V,
    V
    GS
    =4.5V
    V
    DS
    =10V,
    I
    D
    =600mA,
    R
    G
    =3.3Ω, V
    GS
    =5V
    R
    D
    =16.7Ω
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =10V,
    f=1.0MHz
    分钟。
    20
    -
    -
    -
    0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    范围
    典型值。
    -
    0.02
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    1.3
    0.3
    0.5
    21
    53
    100
    125
    38
    17
    12
    马克斯。
    -
    -
    600
    850
    1.2
    -
    1
    uA
    10
    ±10
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    60
    -
    -
    uA
    nC
    单位
    V
    V / C
    mΩ
    V
    S
    o
    ns
    pF
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    DS
    参数
    正向电压上
    （注3）
    测试条件
    I
    S
    = 300毫安，V
    GS
    =0V
    分钟。
    -
    典型值。
    -
    马克斯。
    1.2
    单位
    V
    注1 ：
    表面安装在FR4板，T
    ≤
    10秒。
    注2 ：
    脉冲宽度有限的最大。结温。
    注3 ：
    脉冲宽度
    ≤
    300US ，占空比
    ≤
    2%.
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/5
    1.0版
    2004年10月15日

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6