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    AF1333PULA 参数 Datasheet PDF下载

    AF1333PULA图片预览
    型号： AF1333PULA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 278 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF1333PULA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF1333PULA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF1333PULA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF1333PULA的Datasheet PDF文件第5页  
    AF1333P
    P沟道增强型功率MOSFET
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    （注1 ）
    漏电流脉冲
    （注2,3）
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    T
    A
    =25ºC
    T
    A
    =70ºC
    T
    A
    =25ºC
    等级
    -20
    ±12
    -550
    -440
    -2.5
    0.35
    0.003
    -55到+150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    mA
    A
    W
    W/
    o
    C
    o
    C
    o
    C
    热数据
    符号
    Rthj -A
    参数
    热阻结到环境
    （注1 ）
    马克斯。
    价值
    360
    单位
    摄氏度/ W
    电气特性
    在T
    A
    =25
    o
    C（除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    测试条件
    漏源击穿电压V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-250uA
    击穿电压参考温度为25
    o
    C,
    I
    D
    =-1mA
    系数
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-550mA
    静态漏源
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-550mA
    导通电阻
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    =-300mA
    栅极阈值电压
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    正向跨导
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    =-500mA
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =-20V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =-16V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =70
    o
    C)
    栅源漏
    V
    GS
    =±12V
    总栅极电荷
    （注3）
    I
    D
    =-500mA,
    V
    DS
    =-16V,
    栅极 - 源电荷
    V
    GS
    =-4.5V
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    导通延迟时间
    （注3）
    V
    DS
    =-10V,
    I
    D
    =-500mA,
    上升时间
    R
    G
    =3.3Ω, V
    GS
    =-5V
    打开-O FF延迟时间
    R
    D
    =20Ω
    下降时间
    输入电容
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =-10V,
    输出电容
    f=1.0MHz
    反向传输电容
    分钟。
    -20
    -
    -
    -
    -
    -0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.01
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    1.7
    0.3
    0.4
    5
    8
    10
    2
    66
    25
    20
    马克斯。
    -
    -
    600
    800
    1000
    -1.2
    -
    -1
    uA
    -10
    ±100
    2.7
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    105.6
    -
    -
    nA
    nC
    单位
    V
    V/
    o
    C
    mΩ
    V
    S
    ns
    pF
    源极 - 漏极二极管
    注1 ：
    表面安装在FR4板，T
    ≤
    10秒。
    注2 ：
    脉冲宽度有限的最大。结温。
    注3 ：
    脉冲宽度
    ≤
    300US ，占空比
    ≤
    2%.
    符号
    V
    DS
    参数
    正向电压上
    （注3）
    测试条件
    I
    S
    = -300mA ，V
    GS
    =0V
    分钟。
    -
    典型值。
    -
    马克斯。
    -1.2
    单位
    V
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/5
    1.0版
    2004年10月15日

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