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    AF2301PW 参数 Datasheet PDF下载

    AF2301PW图片预览
    型号： AF2301PW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20V P沟道增强型MOSFET [20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 133 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF2301PW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF2301PW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF2301PW的Datasheet PDF文件第4页  
    AF2301P
    20V P沟道增强型MOSFET
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    T
    J
    , T
    英镑
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    最大功率耗散
    T
    A
    =25ºC
    T
    A
    =70ºC
    工作结温
    工作结存储温度范围
    等级
    -20
    ±8
    -2.3
    -10
    1.25
    0.8
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    ºC
    ºC
    热性能
    符号
    T
    L
    R
    θJA
    参数
    （从案例1/8“ ）焊接温度
    结到环境热阻（PCB安装）
    极限
    5
    100
    单位
    S
    摄氏度/ W
    注意：
    表面安装在FR4板上吨< 5秒。
    电气特性
    我率
    D
    = -2.3A ， （T
    A
    =25
    o
    C除非另有说明）
    符号
    STATIC
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-250uA
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-2.8A
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    =-2.0A
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    =-16V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±8V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =-5V, V
    GS
    =-10V
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    =-2.8A
    V
    DS
    = -6V ，我
    D
    =-2.8A,
    V
    GS
    =-4.5V
    V
    DD
    = -6V ，R
    L
    =6Ω,
    I
    D
    = -1A ，V
    根
    =-4.5V,
    R
    G
    =6Ω
    V
    DS
    =-6V, V
    GS
    =0V,
    f=1.0MHz
    分钟。
    -20
    -
    -
    -0.45
    -
    -
    -6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    范围
    典型值。
    -
    95
    122
    -
    -
    -
    -
    6.5
    5.4
    0.8
    1.1
    5
    19
    95
    65
    447
    127
    80
    -
    -0.8
    马克斯。
    -
    130
    190
    -
    -1.0
    ±100
    -
    -
    10
    -
    -
    25
    60
    110
    80
    -
    -
    -
    -1.6
    -1.2
    单位
    V
    mΩ
    V
    uA
    nA
    A
    S
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    I
    DSS
    零栅极电压漏极电流
    I
    GSS
    门体漏
    I
    D（上）
    通态漏电流
    g
    fs
    转发Tranconductance
    动态
    Q
    g
    总栅极电荷
    Q
    gs
    栅极 - 源电荷
    Q
    gd
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    导通延迟时间
    t
    r
    开启上升时间
    t
    D（关闭）
    打开-O FF延迟时间
    t
    f
    关断下降时间
    C
    国际空间站
    输入电容
    C
    OSS
    输出电容
    C
    RSS
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    I
    S
    马克斯。二极管的正向电流
    V
    SD
    二极管的正向电压
    注意：
    脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％
    nC
    nS
    pF
    I
    S
    = -1.6A ，V
    GS
    =0V
    A
    V
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/4
    修订版1.1 2004年7月20日

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