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    AF4362N 参数 Datasheet PDF下载

    AF4362N图片预览
    型号： AF4362N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 380 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF4362N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF4362N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF4362N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF4362N的Datasheet PDF文件第5页  
    AF4362N
    N沟道增强型功率MOSFET
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    （注1 ）
    漏电流脉冲
    （注2 ）
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    T
    A
    =25ºC
    T
    A
    =70ºC
    T
    A
    =25ºC
    等级
    30
    ±12
    18
    15
    80
    2.5
    0.02
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    W / ℃，
    ºC
    ºC
    热数据
    符号
    Rthj - AMB
    参数
    热阻结到环境
    （注1 ）
    马克斯。
    最大
    50
    单位
    摄氏度/ W
    电气特性
    在T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    测试条件
    分钟。
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.01
    -
    -
    -
    47
    -
    -
    -
    59
    10
    23
    16
    12
    96
    30
    5080
    660
    400
    马克斯。
    -
    -
    5
    6
    8
    1.2
    -
    1
    uA
    25
    ±100
    95
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8100
    -
    -
    nA
    nC
    单位
    V
    V/
    o
    C
    mΩ
    V
    S
    漏源击穿电压V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    击穿电压参考温度为25
    o
    C,
    I
    D
    =1mA
    系数
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =18A
    静态漏源
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =12A
    导通电阻
    （注3）
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    =6A
    栅极阈值电压
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    正向跨导
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =12A
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =70
    o
    C)
    栅源漏
    V
    GS
    =±12V
    总栅极电荷
    （注3）
    I
    D
    =18A,
    V
    DS
    =24V,
    栅极 - 源电荷
    V
    GS
    =4.5V
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    导通延迟时间
    （注3）
    V
    DS
    =15V,
    I
    D
    =1A,
    上升时间
    R
    G
    =3.3Ω, V
    GS
    =10V
    打开-O FF延迟时间
    R
    D
    =15Ω
    下降时间
    输入电容
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =25V,
    输出电容
    f=1.0MHz
    反向传输电容
    ns
    pF
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    正向电压上
    （注3）
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    2
    测试条件
    I
    S
    = 18A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    = 18A ，V
    GS
    =0V,
    dl/dt=100A/µs
    o
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    43
    39
    马克斯。
    1.2
    -
    -
    单位
    V
    ns
    nC
    注1 ：
    表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候125℃ / W 。铜垫。
    注2 ：
    脉冲宽度有限的最大。结温。
    注3 ：
    脉冲宽度
    ≤
    300US ，占空比
    ≤
    2%.
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/5
    修订版1.1 2005年9月5日

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