欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    AF60N03DA 参数 Datasheet PDF下载

    AF60N03DA图片预览
    型号： AF60N03DA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 437 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF60N03DA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF60N03DA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF60N03DA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF60N03DA的Datasheet PDF文件第5页  
    AF60N03
    N沟道增强型功率MOSFET
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流， V
    GS
    =10V
    漏电流脉冲
    （注1 ）
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    T
    C
    =25ºC
    T
    C
    =100ºC
    T
    C
    =25ºC
    等级
    30
    ±20
    45
    32
    120
    44
    0.352
    -55至175
    -55至175
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    W / ℃，
    ºC
    ºC
    热数据
    符号
    R
    θJC
    R
    θJA
    参数
    热阻结案件
    热阻Junction-环境
    马克斯。
    马克斯。
    最大
    3.4
    110
    单位
    摄氏度/ W
    摄氏度/ W
    电气特性
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    静态漏源
    导通电阻
    （注2 ）
    栅极阈值电压
    正向跨导
    （注2 ）
    漏极 - 源极漏电流
    (T
    J
    =25ºC)
    漏极 - 源极漏电流
    (T
    J
    =175ºC)
    门源漏
    总栅极电荷
    （注2 ）
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    导通延迟时间
    （注2 ）
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    参考25℃ ，
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =20A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =15A
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =10A
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V
    I
    D
    =20A
    V
    DS
    =20V
    V
    GS
    =4.5V
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =20A
    R
    G
    =3.3Ω, V
    GS
    =10V
    R
    D
    =0.75Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V,
    f=1.0MHz
    分钟。
    30
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    范围
    典型值。
    -
    0.026
    -
    -
    -
    25
    -
    -
    -
    11.6
    3.9
    7
    8.8
    57.5
    18.5
    6.4
    1135
    200
    135
    马克斯。
    -
    -
    12
    25
    3
    -
    1
    uA
    250
    ±100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    nA
    nC
    单位
    V
    V / OC
    mΩ
    V
    S
    nS
    pF
    源极 - 漏极二极管
    符号
    参数
    V
    SD
    正向电压上
    （注2 ）
    t
    rr
    反向恢复时间
    Q
    rr
    反向恢复电荷
    注1 ：
    脉冲宽度有限的安全工作区。
    注2 ：
    脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
    测试条件
    I
    S
    = 45A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    = 20A ，V
    GS
    =0V,
    dl/dt=100A/µs
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    23.3
    16
    马克斯。
    1.3
    -
    -
    单位
    V
    ns
    nC
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/5
    1.0版
    2005年9月8日

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6