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    AF8510C 参数 Datasheet PDF下载

    AF8510C图片预览
    型号： AF8510C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 317 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AF8510C的Datasheet PDF文件第8页  
    AF8510C
    N和P沟道增强型功率MOSFET
    P- CH电气特性
    在T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    DSS
    　
    BV
    DSS
    /
    　
    T
    J
    参数
    测试条件
    分钟。
    -30
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -0.023
    -
    -
    -
    4.9
    -
    -
    -
    9
    2
    6
    10
    8
    25
    13
    580
    180
    120
    马克斯。
    -
    -
    55
    90
    -3
    -
    -1
    uA
    -25
    ±100
    15
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    930
    -
    -
    nA
    nC
    单位
    V
    V/
    o
    C
    mΩ
    V
    S
    漏源击穿电压V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    击穿电压参考温度为25
    o
    C,
    I
    D
    =1mA
    系数
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-5A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-3A
    栅极阈值电压
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    正向跨导
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    =-5A
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =-30V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V
    (T
    J
    =70
    o
    C)
    栅源漏
    V
    GS
    =±20V
    总栅极电荷
    （注3）
    I
    D
    =-5.3A,
    V
    DS
    =-24V,
    栅极 - 源电荷
    V
    GS
    =-4.5V
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    导通延迟时间
    （注3）
    V
    DS
    =-15V,
    I
    D
    =1A,
    上升时间
    R
    G
    =3.3Ω, V
    GS
    =-10V
    打开-O FF延迟时间
    R
    D
    =15Ω
    下降时间
    输入电容
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =25V,
    输出电容
    f=1.0MHz
    反向传输电容
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    ns
    pF
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    正向电压上
    （注3）
    反向恢复时间
    )
    反向恢复电荷
    2
    测试条件
    I
    S
    = 1.7A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    = -5.3A ，V
    GS
    =0V,
    dl/dt=100A/µs
    o
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    21
    17
    马克斯。
    -1.2
    -
    -
    单位
    V
    ns
    nC
    注1 ：
    表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候135℃ / W 。铜垫。
    注2 ：
    脉冲宽度有限的最大。结温。
    注3 ：
    脉冲宽度
    ≤
    300US ，占空比
    ≤
    2%.
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    3/8
    1.0版
    2005年11月14日

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